Le groupe japonais GMO Internet Group a officiellement annoncé le 7 juin la sortie de sa nouvelle carte minière Bitcoin «GMO Miner B2», marquant ainsi une nouvelle ère d'unités de traitement puissantes et écoénergétiques en tant que première carte d'exploitation minière 7nm au monde.
Cette annonce souligne la course aux armements de l'ASIC pour la production de plates-formes minières plus puissantes et plus économes en énergie contre des sociétés comme Samsung, Intel et Globalfoundries.
Le prochain jalon de l'architecture des processeurs
La carte minière Bitcoin actuelle, la plus populaire, l'Antminer S9, utilise la puce propriétaire BM1387 16nm de Bitmain pour fournir 14 TH de puissance de hachage.
Pendant ce temps, le 10mn DragonMint T1 dispose d'une puce T1558 Samsung poussant 16ème avec l'ajout de ASIC boost pour une plus grande efficacité énergétique.
Bien que ces puces aient fourni à Samsung une augmentation significative de ses revenus, elles ne montrent que des gains de performance supplémentaires par rapport à leurs homologues de dernière génération.
On estime que les prochaines puces de 7 nm contiendront plus de 20 milliards de transistors et offriront jusqu'à 40% de gain de performance, soit une réduction de puissance de plus de 65% par rapport à leurs concurrents de 16 nm. La densité plus élevée des copeaux permettra également une réduction de la taille de la zone de 20%, résultant en des machines plus petites, plus légères et plus puissantes.
Les OGM semblent avoir surpassé les concurrents en ce qui concerne les colorants 7nm. Samsung devrait commencer la production en juin, tandis que TSMC, déjà en production, devrait sortir plus tard ce trimestre dans les GPU AMD et Nvidia.
Intel traîne derrière la concurrence
Au cours de la conférence internationale sur les médias et les communications de JP Morgan cette année, Intel a annoncé le report de sa production de 10 nm jusqu'en 2019 en raison de problèmes de rendement dus à leur technique de multi-patterning. Cela affectera sans aucun doute le calendrier de développement du 7nm du fabricant de puces à moins qu'une percée imprévue ne leur permette de dépasser la lithographie 10nm.
La transition vers 7nm a introduit toute une série de problèmes de fabrication techniques qui accompagnent le passage de la lithographie profonde par immersion ultraviolette aux UV extrêmes. Le saut de la taille du colorant nécessite un saut de longueur d'onde laser émise, passant de 193 nm à 13,5 nm.
En plus d'augmenter leur puissance pour produire ces longueurs d'onde, les fabricants ont également introduit des chambres à pellicule et à vide dans les nouvelles unités de fabrication pour atténuer les problèmes nouvellement découverts.
La première génération de puces 7 nm de GMO prévoit d'offrir à la société un avantage substantiel pour la dernière production de cartes minières. À mesure que l'architecture évolue, beaucoup s'attendent à ce que la nouvelle génération de silicium offre aux consommateurs une performance accrue.
GMO organisera une session d'information client à Shibuya, Tokyo, le 6 juin et les nouvelles unités devraient être expédiées à la fin d'octobre 2018.