Международное разделение труда в действии. Зеленоградский завод Ангстрем договорился о лицензировании японской технологии SiC и наладит производство кристаллов транзисторов по этой технологии. Собирать транзисторы в корпуса станет китайская компания.
Подписание соглашения, фото пресс-службы компании Ангстрем
До сих пор на Ангстрем не работали с перспективной технологией SiC (карбид кремния). Между тем этот материал более устойчив к воздействию радиации, нежели чем традиционные полупроводники, изделия из него терпят более высокие рабочие температуры, что позволяет использовать SiC, например, в n-МОП транзисторах и высокотепературных тиристорах.
Применение SiC для изготовления транзисторов обычно сдерживается тем, что такие транзисторы обычно получаются более дорогими, нежели традиционные, кремниевые, что и влияет на спрос негативно. Новая патентованная технология обещает возможность производить на Ангстрем транзисторы с кристаллом меньшего размера и значительно сократить стоимость транзистора в корпусе, что повысит конкурентоспособность изделий на мировом рынке.
Ангстрем получит технологию от японской компании Japan Semiconductor Engineering & Consulting. В Зеленограде будут делать пластины с кристаллами транзисторов, а упаковкой их в корпуса займется китайская компания Taizhou Beyond Technology. Соглашение о стратегическом партнерстве между тремя компаниями заключено на 5 лет с возможностью пролонгации.
Первые образцы транзисторов по технологии SiC компания Ангстрем обещает показать на выставке Appliance & Electronics World Expo 2019 в Шанхае. Если получится найти заказы, объемы производства можно будет нарастить вплоть до нескольких миллионов кристаллов в год.
Ангстрем демонстрирует великолепный пример того, как следует строить сотрудничество в области микроэлектроники, - используя существующие мощности и персонал, получать доступ к новым технологиям и новым мировым рынкам! Жаль, что это выглядит, как исключение из неписанного правила, согласно которому российские производители полупроводников дружно ориентируются в основном на госзаказ, на небольшой внутренний рынок, формируемый в основном военным производством.
Грамотно выбрано и направление, согласно прогнозам аналитиков Allied Market Research, мировой рынок полупроводниковых изделий на базе технологии карбида кремния вырастет от текущего объема $302 млн в 2017 году до $1109 млн в 2025 году, что соответствует среднегодовому росту в 18.1% в период с 2018 по 2015 годы. Чего бы не поучаствовать в разделе этого "пирожка"?
Конечно, здесь есть и подводные камни. В частности, жесткая международная конкуренция. На рынке SiC действуют такие игроки, как Infineon, General Electric, NXP Semiconductors и STMicroelectronics и многие другие. Известная в России X-FAB Silicon Foundries на днях анонсировала планы удвоения своих производственных мощностей по выпуску изделий на базе SiC на пластинах 150 мм. Производство размещено на заводе компании в Lubbock, Техасе, США. Компания планирует до конца 2018 года установить на этом производстве вторую установку для ионного легирования, что и позволит вдвое нарастить производственные мощности по части выпуска изделий на базе SiC.
Кроме того, материалы для производства также придется покупать за рубежом. Высокочистый порошек SiC в мире выпускает не так уж много компаний, крупнейшими его поставщиками на сегодня являются Bridgestone, США, Washington Mills, США, LGInnotek, Корея и Pallidus, США. Есть также производители в Германии и Японии. Все это приводит к тому, что пластины SiC сравнительно дороги. То же касается и газа силана SiH4 (насыщенного кремневодорода), используемого в производстве.
Несмотря на то, что в 2014 году ОАО “Светлана” анонсировала разработку промышленной технологии производства монокристаллов и подложек карбида кремния 6H диаметром 7.62 см, пластины для производства изделий из SiC в России по-прежнему закупаются за рубежом. Небольшая конкуренция поставщиков приводит к тому, что производители пластин и субстратов SiC, такие как Cree (Wolfspeed) и Dow Corning, устанавливают сравнительно высокие цены на свои изделия.
Что же, в современной микроэлектронике выживают сильнейшие. Посмотрим, приживется ли новая технология на Ангстрем.