INTRODUCCIÓN.
El interés en el estudio de sistemas nanoestructurados complejos ha llamado la atención de la comunidad científica. Tal es el caso de las nanoestructuras semiconductoras / metálicas híbridas basadas en Co / AlN. Los estudios sugieren que las nanopartículas o nanocapas Co integradas en matrices de alto índice de refracción, como AlN, pueden aumentar la respuesta magnetoóptica de los sistemas de las estructuras. La modificación de las propiedades ópticas de estos materiales abriría posibilidades tecnológicas en dispositivos de almacenamiento de datos, sensores magnetoópticos, sensores de campo, dispositivos láser, entre otros. En este trabajo, presentamos un estudio de las propiedades ópticas de semiconductores híbridos / nanoestructuras metálicas
OBJETIVOS.
Obtenga los espectros experimentales de las nanoestructuras Co / AlN y AlN / Co / AlN / c--Al2O3 y calcule las propiedades ópticas usando un modelo de capas equivalentes, basado en el modelo Drude-Lorentz.
METODOLOGÍA.
Las muestras estudiadas en este estudio se fabricaron utilizando la técnica de evaporación de cátodos asistidos por radiofrecuencias (ECAM) de Magnetron. Se obtuvieron dos sistemas nanoestructurados: a) co-AlN de dos capas yb) AlN / Co / AlN de tres capas, ambos cultivados en sustratos comerciales de c-Al2O3 (0001). Las mediciones de elipsometría se realizaron en un elipsómetro espectroscópico, marca J.A Woollam, modelo M-2000x. Esto mide el cambio de polarización de la luz a partir de los parámetros obtenidos del experimento, que son la variación de la amplitud (ψ) y la diferencia de fase (Δ).
CONCLUSIONES
Desde los ángulos elipsométricos, determinamos las funciones dieléctricas (ε1, ε2) de las muestras. Los datos experimentales se interpretan en el marco de un modelo teórico de capa equivalente, en el que las propiedades de las capas AlN se deben a oscilaciones armónicas atómicas y se superponen a las propiedades electrónicas de la capa Co. El modelo teórico con datos experimentales es generalmente aceptable al introducir términos de absorción por dispersión electromagnética en el semiconductor. Esto le otorga a Co / AlN y AlN / Co / AlN propiedades únicas para nuevas aplicaciones tecnológicas.
